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第594章【紫星光刻,准备曝光它吧】(2/5)
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罗晟点点头没有多说什么,旋即看向刚刚那位光刻胶项目负责人问道:“新思路方面的具体进展有哪些?”

  “项目组正在开展负性光刻胶课题论证研究,其分子大小是CAR有机光刻胶的五分之一,重点是光吸收率可以达到CAR的四到五倍,超算验证结果显示能更精密、更准确的让电路图成型。”

  罗晟从内部数据库查看了一下,自顾自地点头道:“干式光刻胶技术可以重点投入,这种全新的EUV干式光刻胶技术,取代传统的CAR光刻胶对于半导体工艺的演进大有可为,可能会是一个巨大的突破点。”

  这个新技术的优势在于提升极紫外光刻技术的敏锐度和分辨率,更可以减少原本五到十倍的光刻胶使用量,在成本节约上带来显著成果。

  新的技术节点下诞生的芯片,成本是很高昂的,尤其是前期阶段。

  在当下业内以有机化学放大光刻胶CAR和无机光刻胶n-CAR为主导下,都是采用液态光刻胶技术,研究新型EUV光刻胶技术不只是蔚蓝海岸实验室,海外的厂商都在积极推进新技术的开发,毕竟极紫外光刻技术是大趋势,这是不会改变的事实了。

  但只有蔚蓝海岸实验室的新型EUV光刻胶技术是基于干式沉淀的技术,这一点算是独创技术。

  目前主流的光刻胶技术是CAR,也即是把液态光刻胶搭配涂布机设备旋涂到晶圆上,在使用溶剂曝光后再去除掉。

  而蔚蓝海岸实验室的这种新式技术有别于传统液态光刻胶涂布方式,改在腔体中进行化学反应,让干式光刻胶在化学气相沉积或原子层沉积里制造,之后再以刻蚀工艺去除掉。

  这样的优点在于可以提升成像的敏感度、分辨率和极紫外光刻曝光的分辨率。

  更重要的是可以改善工艺晶圆的成本,这些优势都是更先进的工艺的体现。

  罗晟关闭数据面板,把工作电脑放一边,说道:“只要干式光刻胶技术搞定了,我们就可以与日本设备材料产生形成两个阵营了,可以冲破既有的半导体技术规则,这非常关键,整个产业也会带来深远的改变。没什么好说的了,我们已经投入了这么多,除了胜利,没有第二条路可以选择。”

  在场的每一个人都默默的点头,也是战意勃发,眼下的突破给了团队巨大的信心。

  的确是除了胜利,没有第二条路可以选择了,也相信必然取得胜利。

  临时的会议探讨结束了,罗晟亲自拍板给蔚蓝海岸实验的光刻胶项目组再额外拨款了4

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